Haupt-Neben-Feldeffekttransistorkonfigurationen für Hochfrequenzanwendungen
EP3516770
Art B1
26. April 2023
Anmelder: Skyworks Solutions, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3516770
- Aktenzeichen
- EP17854151
- Anmeldetag
- 26. September 2017
- Veröffentlichung
- 26. April 2023
- Erteilung
- 26. April 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03K17/687H03K17/693H04B1/44H03K17/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Skyworks Solutions, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Skyworks Solutions, Inc.
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien, spezialisiert auf HF-Chips und Analog-Halbleiter für Mobilfunk- und Kommunikationstechnik. Zahlreiche Patente im Bereich Hochfrequenztechnik und drahtlose Kommunikation.
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Kanzlei
Reddie & Grose LLP
Reddie & Grose wurde 1907 gegründet und ist neben London und Cambridge auch in München und Den Haag vertreten. Sie gilt laut Fachpresse als besonders versiert im Umgang mit komplexen technischen Fragestellungen vor EPA und UPC.
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