Struktur mit Einzelkristallhalbleiterinseln und Verfahren zur Herstellung Solch einer Struktur

EP3520132 Art B1 22. Juli 2020

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3520132
Aktenzeichen: EP17783928
Anmeldetag: 21. September 2017
Veröffentlichung: 22. Juli 2020
Erteilung: 22. Juli 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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