Verfahren zur Erfassung einer Beeinträchtigung der Integrität eines Halbleitersubstrats eines Integrierten Schaltkreises von Seiner Rückseite Aus, und Entsprechende Vorrichtung

EP3525236 Art A1 14. August 2019

Anmelder: STMicroelectronics (Rousset) SAS 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3525236
Aktenzeichen: EP19153676
Anmeldetag: 25. Januar 2019
Veröffentlichung: 14. August 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/58G06K19/073

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics (Rousset) SAS
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 STMicroelectronics (Rousset)

Französischer Produktionsstandort des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics in Rousset. Der Standort fertigt integrierte Schaltkreise und Halbleiterbauelemente für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung

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