Stromdetektionsschaltung, Halbleiterbauelement und Halbleitersystem

EP3531559 Art B1 13. September 2023

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3531559
Aktenzeichen: EP19157394
Anmeldetag: 15. Februar 2019
Veröffentlichung: 13. September 2023
Erteilung: 13. September 2023
Rechtsraum: EP
IPC: G01R19/257G05F3/30H03M1/46// H03M1/14

Abstract

A current detection circuit, a semiconductor device and a semiconductor system which are capable of improving current detection accuracy are provided. According to one embodiment of the invention, a current detection circuit includes a resistive element to convert an input current supplied from outside into an input voltage, a constant-current source, a resistive element to convert an output current of the constant-current source into a reference voltage, and an AD converter to AD-convert the input voltage using the reference voltage.

Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Steuerungs- & Regelungstechnik

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