Halbleiterbauelement umfassend Bipolartransistoren mit Isoliertem Gate und Freilaufdioden
EP3534406
Art B1
11. Mai 2022
Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3534406
- Aktenzeichen
- EP19150185
- Anmeldetag
- 3. Januar 2019
- Veröffentlichung
- 11. Mai 2022
- Erteilung
- 11. Mai 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/423H01L29/66H01L29/739H01L29/06H01L29/10H01L21/265H01L29/40// H01L29/32H01L29/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Fuji Electric Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fuji Electric
Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.
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