Feldeffekttransistor mit Versetzten Feldeffekttransistorzellen

EP3539158 Art A1 18. September 2019

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3539158
Aktenzeichen
EP17811403
Anmeldetag
8. November 2017
Veröffentlichung
18. September 2019
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/417H01L29/78H01L29/06H01L29/812
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Raytheon Company
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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