Halbleiterbauelemente mit Eingelassener Elektrodenstruktur

EP3540782 Art A3 1. Januar 2020

Anmelder: Massachusetts Institute Of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3540782
Aktenzeichen: EP19173521
Anmeldetag: 11. Oktober 2012
Veröffentlichung: 1. Januar 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/778H01L29/872H01L29/423H01L29/417H01L29/41H01L21/28// H01L29/20H01L29/10H01L29/51

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Massachusetts Institute Of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

636 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von