Gegen Einzelereigniseffekt und Gesamtionisationsdosiswirkung Gehärteter Strahlungstoleranter Einheits-Mosfet
EP3540783
Art B1
20. November 2024
Anmelder: Korea Advanced Institute of Science and Technology, Korea Advanced Institute Of Science And Technology 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3540783
- Aktenzeichen
- EP18194288
- Anmeldetag
- 13. September 2018
- Veröffentlichung
- 20. November 2024
- Erteilung
- 20. November 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/10H01L29/06H01L21/761H01L23/552H01L27/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Korea Advanced Institute of Science and Technology
Korea Advanced Institute Of Science And Technology - Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
KAIST
Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.
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