Nitridhalbleitersubstrat, Herstellungsverfahren dafür und Halbleiterbauelement

EP3546622 Art A1 2. Oktober 2019

Anmelder: The Ritsumeikan Trust, Osaka University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3546622
Aktenzeichen: EP17873866
Anmeldetag: 20. November 2017
Veröffentlichung: 2. Oktober 2019
Rechtsraum: EP
IPC: C30B29/38C23C16/34C30B25/02H01L21/205H01L33/32H01S5/323C30B29/40C30B29/68

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: The Ritsumeikan Trust
Osaka University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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