Laserdiode vom Typ Vcsel mit Trägerbegrenzung, und Ihr Herstellungsverfahren

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP3547471

Aktenzeichen

EP19165734

Anmeldetag

28. März 2019

Veröffentlichung

1. März 2023

Erteilung

1. März 2023

Rechtsraum

EP

IPC

H01S5/183H01S5/187

Abstract

Diode laser (200) de type VCSEL, et son procédé de fabrication, la diode laser (200) comportant superposés au-dessus d'un substrat (210) :- un miroir de Bragg inférieur (230),- une zone à puit(s) quantique(s) (240), et- un miroir de Bragg supérieur (250).Une section () du miroir de Bragg inférieur présente une aire inférieure à celle d'une section () du miroir de Bragg supérieur, lesdites sections étant définies dans des plans parallèles au plan du substrat.La diode laser (200) comprend également une région dite périphérique (270), constituée d'un matériau dit de confinement, située entre le substrat et le miroir de Bragg supérieur, et entourant le miroir de Bragg inférieur (230) au moins.Ladite diode laser (200) est dépourvue de toute couche oxydée latéralement.Grâce à la géométrie particulière de la diode laser, les porteurs de charge sont confinés, en fonctionnement, au centre de cette dernière.

Anmelder

Firma

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

Land

🇫🇷 Frankreich

Fachgebiete