Verfahren zur Herstellung einer Komponente mit Iii-V-Materialien und Kontakten, die mit Siliciumprozessabläufen Kompatibel Sind

EP3559981 Art B1 14. Februar 2024

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3559981
Aktenzeichen
EP17822326
Anmeldetag
22. Dezember 2017
Veröffentlichung
14. Februar 2024
Erteilung
14. Februar 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/285H01L27/144H01L21/768H01L23/485H01L29/45
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
Land
🇫🇷 Frankreich

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Esselin, Sophie Arcueil, Frankreich
880
Patente gesamt
31
Fachgebiete
9
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Halbleiter & Elektrische Bauelemente Nachrichtentechnik & Telekommunikation Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Software & Datenverarbeitung Elektronik & Schaltungstechnik Optik & Fototechnik
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