Architektur für ein Dreidimensionales Speicherarray

EP3561877 Art B1 8. Dezember 2021

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3561877
Aktenzeichen: EP19166258
Anmeldetag: 30. August 2013
Veröffentlichung: 8. Dezember 2021
Erteilung: 8. Dezember 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/417H01L29/78H01L27/10H01L27/24H01L45/00// H01L27/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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