Gegen Einzelereigniseffekt und Gesamtionisationsdosiswirkung Gehärteter Strahlungstoleranter Einheits-Mosfet

EP3565006 Art A1 6. November 2019

Anmelder: Korea Advanced Institute Of Science And Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3565006
Aktenzeichen: EP18207606
Anmeldetag: 21. November 2018
Veröffentlichung: 6. November 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/78H01L27/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Advanced Institute Of Science And Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 KAIST

Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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