Programmierverfahren eines Resistiven Arbeitsspeichers
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3567592
- Aktenzeichen
- EP19173436
- Anmeldetag
- 9. Mai 2019
- Veröffentlichung
- 2. November 2022
- Erteilung
- 2. November 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C13/00
Abstract
L'invention concerne un procédé de programmation d'une mémoire vive résistive comportant une matrice de cellules mémoire. Ce procédé comprend une étape de programmation consistant à appliquer une rampe de tension de programmation (40) aux cellules mémoire d'une partie au moins de la matrice, la rampe de tension de programmation démarrant à une première valeur de tension non-nulle, dite tension de départ (V<sub>start</sub>), et prenant fin à une deuxième valeur de tension, dite tension d'arrivée (V<sub>stop</sub>), supérieure en valeur absolue à la première valeur de tension. La tension d'arrivée (V<sub>stop</sub>) est déterminée de sorte que chaque cellule mémoire de ladite au moins une partie de la matrice présente une première probabilité comprise entre 1/(10N) et 1/N d'avoir une tension de programmation supérieure en valeur absolue à la tension d'arrivée (V<sub>stop</sub>), N étant le nombre de cellules mémoire dans ladite au moins une partie de la matrice.
Anmelder
- Firma
- Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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