Spannungsentlastungsstruktur für Leistungshalbleiterbauelement

EP3567627 Art B1 1. Januar 2025

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3567627
Aktenzeichen: EP19173315
Anmeldetag: 8. Mai 2019
Veröffentlichung: 1. Januar 2025
Erteilung: 1. Januar 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/00H01L29/40H01L29/417H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.872 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von