Substrat für einen -Bildsensor vom Frontseitentyp und Verfahren zur Herstellung Solch eines Substrats

EP3568868 Art B1 21. Juni 2023

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3568868
Aktenzeichen: EP18702752
Anmeldetag: 10. Januar 2018
Veröffentlichung: 21. Juni 2023
Erteilung: 21. Juni 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20H01L27/146H01L21/762H01L31/028H01L31/052

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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