Verfahren zum Glätten der Oberfläche eines Halbleiter-Auf-Isolator-Substrats

EP3568872 Art B1 2. März 2022

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3568872
Aktenzeichen: EP18700158
Anmeldetag: 10. Januar 2018
Veröffentlichung: 2. März 2022
Erteilung: 2. März 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L21/324

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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