Breitbandige Leistungstransistorvorrichtungen und -Verstärker und Verfahren zur Herstellung davon
EP3570434
Art A1
20. November 2019
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3570434
- Aktenzeichen
- EP19172504
- Anmeldetag
- 3. Mai 2019
- Veröffentlichung
- 20. November 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H03F1/56H03F3/195H03F3/24H03F1/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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