Breitbandige Leistungstransistorvorrichtungen und Verstärker mit Eingangsseitiger Harmonischer Abschlussschaltung und Verfahren zur Herstellung

EP3570435 Art A1 20. November 2019

Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3570435
Aktenzeichen
EP19173487
Anmeldetag
9. Mai 2019
Veröffentlichung
20. November 2019
Rechtsraum
EP
IPC
H03F1/56H03F3/195H01L23/66// H03F1/02
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
NXP USA, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 NXP USA

US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.

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