Opferschicht für Platinstrukturierung
EP3571711
Art B1
22. Mai 2024
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3571711
- Aktenzeichen
- EP18742117
- Anmeldetag
- 19. Januar 2018
- Veröffentlichung
- 22. Mai 2024
- Erteilung
- 22. Mai 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/3213H01L21/033H01L23/532H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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