Halbleiterkristall aus Gallium-Arsenid-Verbindung und Wafergruppe
EP3572562
Art A1
27. November 2019
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3572562
- Aktenzeichen
- EP17925384
- Anmeldetag
- 14. September 2017
- Veröffentlichung
- 27. November 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/42C30B11/08H01L21/208C30B11/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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