Cu-Ga-Legierungs-Sputtertarget und Verfahren zur Herstellung des Cu-Ga-Legierungs-Sputtertargets

EP3575438 Art B1 10. November 2021

Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3575438
Aktenzeichen: EP18892002
Anmeldetag: 19. Dezember 2018
Veröffentlichung: 10. November 2021
Erteilung: 10. November 2021
Rechtsraum: EP
IPC: C23C14/34B22F3/10C22C1/04C22C1/05C22C9/00H01L31/0749

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Mitsubishi Materials Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Materials

Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.

1.978 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

Vertreten von