Iii-N-Halbleiterstruktur und Verfahren zur Formung einer Iii-N-Halbleiterstruktur
EP3576132
Art B1
17. Dezember 2025
Anmelder: IMEC vzw 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3576132
- Aktenzeichen
- EP18174617
- Anmeldetag
- 28. Mai 2018
- Veröffentlichung
- 17. Dezember 2025
- Erteilung
- 17. Dezember 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- IMEC vzw
- Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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