Halbleiterbauelementherstellungsverfahren

EP3576135 Art A1 4. Dezember 2019

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3576135
Aktenzeichen
EP18777902
Anmeldetag
30. Januar 2018
Veröffentlichung
4. Dezember 2019
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/265H01L21/268H01L21/336H01L29/739H01L29/78H01L21/331
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Fuji Electric Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

2.075 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen