Verfahren zur Herstellung eines Zweidimensionalen Films aus Hexagonaler Kristalliner Struktur

EP3577257 Art A1 11. Dezember 2019

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3577257
Aktenzeichen: EP18705964
Anmeldetag: 31. Januar 2018
Veröffentlichung: 11. Dezember 2019
Rechtsraum: EP
IPC: C30B23/02C30B23/04C30B25/18C30B29/02H01L21/683C30B33/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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