Kontaktform für Bessere Leistung in Gan-Hochfrequenz-Transistoren

EP3579280 Art A1 11. Dezember 2019

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3579280
Aktenzeichen
EP19170432
Anmeldetag
19. April 2019
Veröffentlichung
11. Dezember 2019
Rechtsraum
EP
IPC
H10D30/47H10D62/13H10D64/23// H10D62/10H10D62/85
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
INTEL Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

8.816 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen