Dreidimensionale Speicherbauelemente und Verfahren zur Formung davon
EP3580782
Art A1
18. Dezember 2019
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3580782
- Aktenzeichen
- EP18849168
- Anmeldetag
- 1. März 2018
- Veröffentlichung
- 18. Dezember 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/11578H01L27/11524H01L25/065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
996 Patente in unserer Datenbank