Maskierung einer Zone an der Kante eines Donor-Substrats Während eines Ionenimplantationsschrittes

EP3583620 Art B1 29. Mai 2024

Anmelder: Soitec, Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3583620
Aktenzeichen: EP18704035
Anmeldetag: 15. Februar 2018
Veröffentlichung: 29. Mai 2024
Erteilung: 29. Mai 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Soitec
Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von