Halbleiterbauelementanordnungen mit Elektrisch Funktionellen Wärmeübertragungsstrukturen
EP3586359
Art B1
22. Oktober 2025
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3586359
- Aktenzeichen
- EP18757738
- Anmeldetag
- 29. Januar 2018
- Veröffentlichung
- 22. Oktober 2025
- Erteilung
- 22. Oktober 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/36H01L23/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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