Graphen-Heteroschichten für Elektronische Anwendungen und Ihre Herstellungsverfahren
EP3586364
Art B1
6. November 2024
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3586364
- Aktenzeichen
- EP18758505
- Anmeldetag
- 21. Februar 2018
- Veröffentlichung
- 6. November 2024
- Erteilung
- 6. November 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/285H01L21/288H01L23/522H01L23/532H01L29/423H01L29/49B82Y30/00B82Y40/00B32B7/025
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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