Nanodraht-Transistorstruktur und Verfahren zur Formgebung

EP3587344 Art A1 1. Januar 2020

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3587344
Aktenzeichen: EP19173119
Anmeldetag: 7. Mai 2019
Veröffentlichung: 1. Januar 2020
Rechtsraum: EP
IPC: B82Y10/00H01L29/06H01L29/10H01L29/66H01L29/775

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.628 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von