Mikroelektronische Module mit Thermischen Erweiterungsstufen und Verfahren zur Herstellung davon
EP3588553
Art B1
20. August 2025
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3588553
- Aktenzeichen
- EP19179953
- Anmeldetag
- 13. Juni 2019
- Veröffentlichung
- 20. August 2025
- Erteilung
- 20. August 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/36H01L23/367H01L23/498// H01L25/065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Lee, Candice Jane
NXP SEMICONDUCTORS · Redhill