Verfahren zur Herstellung einer Gate-All-Around-Halbleiterbauelementvorrichtung

EP3588575 Art B1 17. September 2025

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3588575
Aktenzeichen: EP19175268
Anmeldetag: 17. Mai 2019
Veröffentlichung: 17. September 2025
Erteilung: 17. September 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10D12/00H10D30/01H10D30/43H10D30/67H10D62/10H10D62/13H10D62/822H10D64/01

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von