Erhöhte Transistor-Source/drain-Kontaktfläche mit Verwendung einer Source/drain-Opferschicht

EP3588576 Art A1 1. Januar 2020

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3588576
Aktenzeichen: EP19176633
Anmeldetag: 24. Mai 2019
Veröffentlichung: 1. Januar 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/417H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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