Graben-Mos-Schottkydiode

EP3588580 Art A1 1. Januar 2020

Anmelder: Tamura Corporation, Novel Crystal Technology, Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3588580
Aktenzeichen: EP18757087
Anmeldetag: 27. Februar 2018
Veröffentlichung: 1. Januar 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/872H01L29/06H01L29/24H01L29/36// H01L29/47H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Tamura Corporation
Novel Crystal Technology, Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tamura

Tamura (Tamura Corporation) ist ein japanischer Hersteller elektronischer Bauteile wie Transformatoren und Lotmaterialien mit Sitz in Tokio. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiterbauelemente sowie Metallurgie und Schaltungstechnik. Die Anmeldungen aus den Jahren 2000 bis 2025 betreffen unter anderem Lötlegierungen und Leistungshalbleitermodule.

267 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von