Verfahren zur Herstellung eines Donorsubstrats zur Herstellung Optoelektronischer Vorrichtungen

EP3590129 Art B1 4. November 2020

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3590129
Aktenzeichen: EP18709702
Anmeldetag: 26. Februar 2018
Veröffentlichung: 4. November 2020
Erteilung: 4. November 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L33/00H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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