Isolierungsschemen für Gate-All-Around-Transistorvorrichtungen
EP3590886
Art A1
8. Januar 2020
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3590886
- Aktenzeichen
- EP19176638
- Anmeldetag
- 24. Mai 2019
- Veröffentlichung
- 8. Januar 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B82Y10/00H01L21/8234H01L27/088H01L29/06H01L29/66H01L29/775
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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Boehmert & Boehmert
München, Deutschland
Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.
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