Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Auf-Isolator-Struktur, insbesondere für einen Frontseitenbildgeber

EP3602617 Art B1 21. April 2021

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3602617
Aktenzeichen: EP18711364
Anmeldetag: 21. März 2018
Veröffentlichung: 21. April 2021
Erteilung: 21. April 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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