System und Verfahren für eine Gan-Basierte Anlaufschaltung

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP3605810

Aktenzeichen

EP19189815

Anmeldetag

2. August 2019

Veröffentlichung

25. Oktober 2023

Erteilung

25. Oktober 2023

Rechtsraum

EP

IPC

H03K17/687H02M1/08H03K17/22H02M1/36

Abstract

In accordance with an embodiment, a circuit includes a first gallium nitride (GaN) transistor comprising a drain coupled to a drain node, a source coupled to a source node, and a gate coupled to a gate node; and a second GaN transistor comprising a drain coupled to the drain node, a source coupled to a first power source node configured to be coupled to a first capacitor.

Anmelder

Firma

Infineon Technologies Austria AG

Land

🇦🇹 Österreich

Fachgebiete