Dreidimensionales Speicherzellenfeld und Verfahren zu Seiner Herstellung

EP3607595 Art B1 3. Januar 2024

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3607595
Aktenzeichen: EP18781677
Anmeldetag: 12. März 2018
Veröffentlichung: 3. Januar 2024
Erteilung: 3. Januar 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H10B63/00// H10N70/20G11C13/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

3.194 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von