Verfahren zum Bonden von Chips auf Wafer mit Ungleicher Dicke

EP3610501 Art B1 10. Januar 2024

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3610501
Aktenzeichen: EP18721210
Anmeldetag: 5. April 2018
Veröffentlichung: 10. Januar 2024
Erteilung: 10. Januar 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/683H01L23/31H01L21/56H01L21/58H01L21/98

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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