Halbleiterbauelement mit Halbleiteroxidschicht und Herstellungsverfahren dafür

EP3614442 Art A3 25. März 2020

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3614442
Aktenzeichen: EP19187536
Anmeldetag: 12. September 2006
Veröffentlichung: 25. März 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L27/12H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von