Integration eines Silizium-Bjt in ein Silizium-Germanium-Hbt-Herstellungsverfahren
EP3618105
Art A1
4. März 2020
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3618105
- Aktenzeichen
- EP19191933
- Anmeldetag
- 15. August 2019
- Veröffentlichung
- 4. März 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8222H01L27/082H01L29/10H01L29/66H01L29/732H01L29/737// H01L27/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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