Hochspannungshalbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung
EP3621117
Art A1
11. März 2020
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3621117
- Aktenzeichen
- EP19194464
- Anmeldetag
- 29. August 2019
- Veröffentlichung
- 11. März 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/423H01L29/06H01L29/40H01L29/417H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
1.545 Patente in unserer Datenbank