Verfahren zur Behandlung eines Soi-Substrates in einer Einplatten-Reinigungsanlage

EP3624169 Art B1 2. August 2023

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3624169
Aktenzeichen: EP19194092
Anmeldetag: 28. August 2019
Veröffentlichung: 2. August 2023
Erteilung: 2. August 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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