Dreidimensionaler Ferroelektrischer Nor-Speicher

EP3629329 Art B1 21. Juli 2021

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3629329
Aktenzeichen: EP19183076
Anmeldetag: 27. Juni 2019
Veröffentlichung: 21. Juli 2021
Erteilung: 21. Juli 2021
Rechtsraum: EP
IPC: G11C11/22G11C5/02H01L27/11504H01L27/11507H01L27/11514

Abstract

An embodiment includes a three dimensional (3D) memory that includes a NOR logic gate, wherein the NOR logic gate includes a ferroelectric based transistor. Other embodiments are addressed herein.

Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.631 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von