Verfahren zur Ausbildung einer Isolationsschicht in einem Halbleiterkörper
EP3633712
Art B1
26. Juni 2024
Anmelder: Infineon Technologies Austria AG 🇦🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3633712
- Aktenzeichen
- EP19200833
- Anmeldetag
- 1. Oktober 2019
- Veröffentlichung
- 26. Juni 2024
- Erteilung
- 26. Juni 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/06H01L29/78H01L29/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies Austria AG
- Land
- 🇦🇹 Österreich
🇦🇹
Infineon Technologies Austria
Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
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Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB
Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mbB · Villingen-Schwenningen