Verfahren zur Herstellung eines Druckempfindlichen Transistors und Druckempfindlicher Feldeffekttransistor
EP3633734
Art B1
15. Dezember 2021
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3633734
- Aktenzeichen
- EP18198188
- Anmeldetag
- 2. Oktober 2018
- Veröffentlichung
- 15. Dezember 2021
- Erteilung
- 15. Dezember 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/84H01L21/336H01L29/51G01L9/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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