Transistor mit Feldplattenstruktur mit Niedriger Kapazität

EP3635790 Art A1 15. April 2020

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3635790
Aktenzeichen
EP18793109
Anmeldetag
4. Oktober 2018
Veröffentlichung
15. April 2020
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/778H01L21/338H01L29/40H01L23/29H01L29/20
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Raytheon Company
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

3.397 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen