Transistor mit Feldplattenstruktur mit Niedriger Kapazität
EP3635790
Art A1
15. April 2020
Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3635790
- Aktenzeichen
- EP18793109
- Anmeldetag
- 4. Oktober 2018
- Veröffentlichung
- 15. April 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L21/338H01L29/40H01L23/29H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Raytheon Company
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Raytheon Company
US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.
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Vertreten von
Jackson, Richard Eric
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Crowell & Moring U.K. LLP
Crowell & Moring U.K. LLP · London