Verfahren zur Formung eines Silizidgates für ein Halbleiterbauelement

EP3636590 Art A1 15. April 2020

Anmelder: IMEC vzw 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3636590
Aktenzeichen: EP18199227
Anmeldetag: 9. Oktober 2018
Veröffentlichung: 15. April 2020
Rechtsraum: EP
IPC: B82Y10/00H01L29/40H01L29/423H01L29/49H01L29/66H01L29/775H01L29/06H01L21/285

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IMEC vzw
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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